MTB35N04J3 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTB35N04J3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTB35N04J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTB35N04J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB35N04J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
 mtb35n04j3.pdf pdf_icon

MTB35N04J3

Spec. No. : C453J3 Issued Date : 2009.03.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTB35N04J3 ID 12A35m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB35N04J3 TO-252 G D S GGate DDrain SS

 7.1. Size:104K  motorola
 mtb35n06zl.pdf pdf_icon

MTB35N04J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB35N06ZL/DProduct PreviewMTB35N06ZLHDTMOS E-FET.High Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 35 AMPERES60 VOLTSThis advanced high voltage TMOS EFET is designed toRDS(on) = 26 mwithstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently.

Другие MOSFET... MTB25A04Q8 , MTB25N04J3 , MTB25P04V8 , MTB25P06FP , MTB30N06J3 , MTB30N06Q8 , MTB30N06V8 , MTB30P06J3 , 10N65 , MTB3D0N03ATH8 , MTB40N06E3 , MTB40P04J3 , MTB40P06J3 , MTB40P06Q8 , MTB40P06V8 , MTB44P04J3 , MTB45A06Q8 .

History: RT3U22M | RT3K22M | OSG65R200JF | IPP030N10N3G | NP88N04EHE | OSG65R200JT3F | IRFM054

 

 
Back to Top

 


 
.