MTB40N06E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB40N06E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTB40N06E3 datasheet

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MTB40N06E3

Spec. No. C708E3 Issued Date 2011.12.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB40N06E3 ID 26A 35m RDSON(TYP)@VGS=10V,ID=10A Features Low Gate Charge 40m RDSON(TYP)@VGS=4.5V,ID=8A Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTB

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MTB40N06E3

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MTB40N06E3

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MTB40N06E3

Spec. No. C595J3 Issued Date 2010.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40V MTB40P04J3 ID -12A 40.5m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB40P04J3 TO-252 G Gate D Drain G D S S

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