MTB40N06E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB40N06E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 47.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTB40N06E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB40N06E3 даташит

 ..1. Size:261K  cystek
 mtb40n06e3.pdf pdf_icon

MTB40N06E3

Spec. No. C708E3 Issued Date 2011.12.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB40N06E3 ID 26A 35m RDSON(TYP)@VGS=10V,ID=10A Features Low Gate Charge 40m RDSON(TYP)@VGS=4.5V,ID=8A Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline TO-220 MTB

 8.1. Size:198K  motorola
 mtb40n10e.pdf pdf_icon

MTB40N06E3

 8.2. Size:192K  motorola
 mtb40n10erev1.pdf pdf_icon

MTB40N06E3

 9.1. Size:340K  cystek
 mtb40p04j3.pdf pdf_icon

MTB40N06E3

Spec. No. C595J3 Issued Date 2010.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -40V MTB40P04J3 ID -12A 40.5m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circuit Outline MTB40P04J3 TO-252 G Gate D Drain G D S S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTB25P04V8, MTB25P06FP, MTB30N06J3, MTB30N06Q8, MTB30N06V8, MTB30P06J3, MTB35N04J3, MTB3D0N03ATH8, RFP50N06, MTB40P04J3, MTB40P06J3, MTB40P06Q8, MTB40P06V8, MTB44P04J3, MTB45A06Q8, MTB45P03Q8, MTB4D0N03ATH8