MTB45A06Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTB45A06Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTB45A06Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:338K cystek
mtb45a06q8.pdf

Spec. No. : C713Q8 Issued Date : 2009.06.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB45A06Q8 ID 6ARDSON(MAX.) 45m Description The MTB45A06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

9.1. Size:357K cystek
mtb45p03q8.pdf

Spec. No. : C783Q8 Issued Date : 2011.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB45P03Q8 ID -6ARDSON(MAX) 45m Description The MTB45P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low o

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Liste

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