MTB45A06Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB45A06Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTB45A06Q8 datasheet

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MTB45A06Q8

Spec. No. C713Q8 Issued Date 2009.06.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/8 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB45A06Q8 ID 6A RDSON(MAX.) 45m Description The MTB45A06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

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MTB45A06Q8

Spec. No. C783Q8 Issued Date 2011.05.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB45P03Q8 ID -6A RDSON(MAX) 45m Description The MTB45P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low o

Otros transistores... MTB35N04J3, MTB3D0N03ATH8, MTB40N06E3, MTB40P04J3, MTB40P06J3, MTB40P06Q8, MTB40P06V8, MTB44P04J3, IRF2807, MTB45P03Q8, MTB4D0N03ATH8, MTB4D0N03ATV8, MTB55N03J3, MTB55N03N3, MTB55N06Q8, MTB55N10J3, MTB55N10Q8