Справочник MOSFET. MTB45A06Q8

 

MTB45A06Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB45A06Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTB45A06Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB45A06Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  cystek
 mtb45a06q8.pdf pdf_icon

MTB45A06Q8

Spec. No. : C713Q8 Issued Date : 2009.06.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB45A06Q8 ID 6ARDSON(MAX.) 45m Description The MTB45A06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

 9.1. Size:357K  cystek
 mtb45p03q8.pdf pdf_icon

MTB45A06Q8

Spec. No. : C783Q8 Issued Date : 2011.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB45P03Q8 ID -6ARDSON(MAX) 45m Description The MTB45P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low o

Другие MOSFET... MTB35N04J3 , MTB3D0N03ATH8 , MTB40N06E3 , MTB40P04J3 , MTB40P06J3 , MTB40P06Q8 , MTB40P06V8 , MTB44P04J3 , IRFB31N20D , MTB45P03Q8 , MTB4D0N03ATH8 , MTB4D0N03ATV8 , MTB55N03J3 , MTB55N03N3 , MTB55N06Q8 , MTB55N10J3 , MTB55N10Q8 .

History: IRFB3206PBF | KU056N03Q | KMB6D0DN35QB | SFG10R75BCF | SI5404BDC | HRP30N04K

 

 
Back to Top

 


 
.