Справочник MOSFET. MTB45A06Q8

 

MTB45A06Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB45A06Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 86 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTB45A06Q8

 

 

MTB45A06Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  cystek
 mtb45a06q8.pdf

MTB45A06Q8 MTB45A06Q8

Spec. No. : C713Q8 Issued Date : 2009.06.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB45A06Q8 ID 6ARDSON(MAX.) 45m Description The MTB45A06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

 9.1. Size:357K  cystek
 mtb45p03q8.pdf

MTB45A06Q8 MTB45A06Q8

Spec. No. : C783Q8 Issued Date : 2011.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB45P03Q8 ID -6ARDSON(MAX) 45m Description The MTB45P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low o

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top