MTB45P03Q8 Todos los transistores

 

MTB45P03Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB45P03Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTB45P03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  cystek
 mtb45p03q8.pdf pdf_icon

MTB45P03Q8

Spec. No. : C783Q8 Issued Date : 2011.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB45P03Q8 ID -6ARDSON(MAX) 45m Description The MTB45P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low o

 9.1. Size:338K  cystek
 mtb45a06q8.pdf pdf_icon

MTB45P03Q8

Spec. No. : C713Q8 Issued Date : 2009.06.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB45A06Q8 ID 6ARDSON(MAX.) 45m Description The MTB45A06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HGB047N12S | ET6309 | HY1908P | IRF8852 | AP2312GN | AP2622GY | S60N15S

 

 
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