Справочник MOSFET. MTB45P03Q8

 

MTB45P03Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB45P03Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTB45P03Q8

 

 

MTB45P03Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  cystek
 mtb45p03q8.pdf

MTB45P03Q8 MTB45P03Q8

Spec. No. : C783Q8 Issued Date : 2011.05.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTB45P03Q8 ID -6ARDSON(MAX) 45m Description The MTB45P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low o

 9.1. Size:338K  cystek
 mtb45a06q8.pdf

MTB45P03Q8 MTB45P03Q8

Spec. No. : C713Q8 Issued Date : 2009.06.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.03 Page No. : 1/8 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB45A06Q8 ID 6ARDSON(MAX.) 45m Description The MTB45A06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top