MTB45P03Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB45P03Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTB45P03Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB45P03Q8 даташит

 ..1. Size:357K  cystek
 mtb45p03q8.pdf pdf_icon

MTB45P03Q8

Spec. No. C783Q8 Issued Date 2011.05.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTB45P03Q8 ID -6A RDSON(MAX) 45m Description The MTB45P03Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low o

 9.1. Size:338K  cystek
 mtb45a06q8.pdf pdf_icon

MTB45P03Q8

Spec. No. C713Q8 Issued Date 2009.06.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.03 Page No. 1/8 Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTB45A06Q8 ID 6A RDSON(MAX.) 45m Description The MTB45A06Q8 provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

Другие IGBT... MTB3D0N03ATH8, MTB40N06E3, MTB40P04J3, MTB40P06J3, MTB40P06Q8, MTB40P06V8, MTB44P04J3, MTB45A06Q8, STF13NM60N, MTB4D0N03ATH8, MTB4D0N03ATV8, MTB55N03J3, MTB55N03N3, MTB55N06Q8, MTB55N10J3, MTB55N10Q8, MTB600N03N3