MTB60N06J3 Todos los transistores

 

MTB60N06J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB60N06J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTB60N06J3 Datasheet (PDF)

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MTB60N06J3

Spec. No. : C708J3 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB60N06J3 ID 16A35m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=10V, ID=10A 40m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=5V, ID=8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalen

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MTB60N06J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB60N06HD/DDesigner's Data SheetMTB60N06HDHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FET60 AMPERESNChannel EnhancementMode Silicon Gate60 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.014 OHMthan any existing sur

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MTB60N06J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB60N06HD/DDesigner's Data SheetMTB60N06HDHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FET60 AMPERESNChannel EnhancementMode Silicon Gate60 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.014 OHMthan any existing sur

 6.3. Size:293K  cystek
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MTB60N06J3

Spec. No. : C708L3 Issued Date : 2009.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/8 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB60N06L3 ID 5.9A41m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=5A 46m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circui

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History: WSF09N20 | MTB40P06Q8 | SSPL4004

 

 
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