MTB60N06J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB60N06J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 5.2 ns
Выходная емкость (Cd): 56 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB60N06J3
MTB60N06J3 Datasheet (PDF)
mtb60n06j3.pdf
Spec. No. : C708J3 Issued Date : 2009.04.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB60N06J3 ID 16A35m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=10V, ID=10A 40m(typ.) RDSON(MAX)@VGS=5V, ID=8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalen
mtb60n06hd.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB60N06HD/DDesigner's Data SheetMTB60N06HDHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FET60 AMPERESNChannel EnhancementMode Silicon Gate60 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.014 OHMthan any existing sur
mtb60n06hdrev2x.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB60N06HD/DDesigner's Data SheetMTB60N06HDHDTMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FET60 AMPERESNChannel EnhancementMode Silicon Gate60 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.014 OHMthan any existing sur
mtb60n06l3.pdf
Spec. No. : C708L3 Issued Date : 2009.05.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/8 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTB60N06L3 ID 5.9A41m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=5A 46m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant & Halogen-free package Equivalent Circui
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
