MTB80N08J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB80N08J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0596 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTB80N08J3 datasheet

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MTB80N08J3

Spec. No. C909J3 Issued Date 2013.04.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 80V MTB80N08J3 ID 15A RDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 59.6 m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 60.5 m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

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