MTB80N08J3 Todos los transistores

 

MTB80N08J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTB80N08J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0596 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTB80N08J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mtb80n08j3.pdf pdf_icon

MTB80N08J3

Spec. No. : C909J3 Issued Date : 2013.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 80VMTB80N08J3 ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 59.6 m(typ)RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 60.5 m(typ)Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ME7620-G | MXP4004BT | IXTX170P10P | ME7648 | SJMN250R80ZF | IRF7606 | ME7607

 

 
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