Справочник MOSFET. MTB80N08J3

 

MTB80N08J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB80N08J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0596 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTB80N08J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB80N08J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mtb80n08j3.pdf pdf_icon

MTB80N08J3

Spec. No. : C909J3 Issued Date : 2013.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 80VMTB80N08J3 ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 59.6 m(typ)RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 60.5 m(typ)Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Другие MOSFET... MTB60B06Q8 , MTB60N06J3 , MTB60N06L3 , MTB60P06E3 , MTB60P06H8 , MTB6D0N03AH8 , MTB6D0N03ATH8 , MTB6D0N03ATV8 , IRF9640 , MTB90P06J3 , MTB90P06Q8 , MTBA0N10Q8 , MTBA5C10AQ8 , MTBA5C10Q8 , MTBA5N10FP , MTBA5N10J3 , MTBA5N10Q8 .

History: HY1906C2 | SML1001R3HN | SSH5N90A

 

 
Back to Top

 


 
.