MTB80N08J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB80N08J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0596 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTB80N08J3
MTB80N08J3 Datasheet (PDF)
..1. Size:310K cystek
mtb80n08j3.pdf
mtb80n08j3.pdf
Spec. No. : C909J3 Issued Date : 2013.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 80VMTB80N08J3 ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 59.6 m(typ)RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 60.5 m(typ)Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
