Справочник MOSFET. MTB80N08J3

 

MTB80N08J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB80N08J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0596 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTB80N08J3

 

 

MTB80N08J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mtb80n08j3.pdf

MTB80N08J3 MTB80N08J3

Spec. No. : C909J3 Issued Date : 2013.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 80VMTB80N08J3 ID 15ARDS(ON)@VGS=10V, ID=15A 59.6 m(typ)RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=10A 60.5 m(typ)Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top