MTB90P06Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTB90P06Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.069 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTB90P06Q8

MTB90P06Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:338K cystek
mtb90p06q8.pdf

Spec. No. : C733Q8 Issued Date : 2011.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.01 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB90P06Q8 ID -5ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 69 m typ. RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 92 m typ.Description The MTB90P06Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combina

6.1. Size:280K cystek
mtb90p06j3.pdf

Spec. No. : C733J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB90P06J3 BVDSS -60VID -12A70 m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 90 m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free packa

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: