Справочник MOSFET. MTB90P06Q8

 

MTB90P06Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTB90P06Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTB90P06Q8

 

 

MTB90P06Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  cystek
 mtb90p06q8.pdf

MTB90P06Q8 MTB90P06Q8

Spec. No. : C733Q8 Issued Date : 2011.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.01 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB90P06Q8 ID -5ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 69 m typ. RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 92 m typ.Description The MTB90P06Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combina

 6.1. Size:280K  cystek
 mtb90p06j3.pdf

MTB90P06Q8 MTB90P06Q8

Spec. No. : C733J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB90P06J3 BVDSS -60VID -12A70 m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 90 m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free packa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top