Справочник MOSFET. MTB90P06Q8

 

MTB90P06Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB90P06Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTB90P06Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB90P06Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  cystek
 mtb90p06q8.pdf pdf_icon

MTB90P06Q8

Spec. No. : C733Q8 Issued Date : 2011.03.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.03.01 Page No. : 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTB90P06Q8 ID -5ARDSON@VGS=-10V, ID=-5A 69 m typ. RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 92 m typ.Description The MTB90P06Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combina

 6.1. Size:280K  cystek
 mtb90p06j3.pdf pdf_icon

MTB90P06Q8

Spec. No. : C733J3 Issued Date : 2009.07.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB90P06J3 BVDSS -60VID -12A70 m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 90 m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free packa

Другие MOSFET... MTB60N06L3 , MTB60P06E3 , MTB60P06H8 , MTB6D0N03AH8 , MTB6D0N03ATH8 , MTB6D0N03ATV8 , MTB80N08J3 , MTB90P06J3 , MMD60R360PRH , MTBA0N10Q8 , MTBA5C10AQ8 , MTBA5C10Q8 , MTBA5N10FP , MTBA5N10J3 , MTBA5N10Q8 , MTBA5N10V8 , MTBA5Q10Q8 .

History: SMP730 | MTB35N04J3 | SI5445BDC | SI5441DC | SI2305

 

 
Back to Top

 


 
.