MTB90P06Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB90P06Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.069 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTB90P06Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB90P06Q8 даташит

 ..1. Size:338K  cystek
 mtb90p06q8.pdf pdf_icon

MTB90P06Q8

Spec. No. C733Q8 Issued Date 2011.03.30 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.01 Page No. 1/9 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTB90P06Q8 ID -5A RDSON@VGS=-10V, ID=-5A 69 m typ. RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 92 m typ. Description The MTB90P06Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combina

 6.1. Size:280K  cystek
 mtb90p06j3.pdf pdf_icon

MTB90P06Q8

Spec. No. C733J3 Issued Date 2009.07.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTB90P06J3 BVDSS -60V ID -12A 70 m (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 90 m (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-8A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free packa

Другие IGBT... MTB60N06L3, MTB60P06E3, MTB60P06H8, MTB6D0N03AH8, MTB6D0N03ATH8, MTB6D0N03ATV8, MTB80N08J3, MTB90P06J3, RU7088R, MTBA0N10Q8, MTBA5C10AQ8, MTBA5C10Q8, MTBA5N10FP, MTBA5N10J3, MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8