MTBA0N10Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTBA0N10Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTBA0N10Q8 datasheet

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MTBA0N10Q8

Spec. No. C790Q8 Issued Date 2010.07.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.05.07 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTBA0N10Q8 ID 5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 90m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=3A 94m (typ) Description The MTBA0N10Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinatio

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