MTBA0N10Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTBA0N10Q8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 42 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTBA0N10Q8
MTBA0N10Q8 Datasheet (PDF)
mtba0n10q8.pdf
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Spec. No. : C790Q8 Issued Date : 2010.07.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.07 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA0N10Q8ID 5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 90m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=3A 94m(typ) Description The MTBA0N10Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinatio
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
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Liste
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MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C