Справочник MOSFET. MTBA0N10Q8

 

MTBA0N10Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTBA0N10Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBA0N10Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  cystek
 mtba0n10q8.pdf pdf_icon

MTBA0N10Q8

Spec. No. : C790Q8 Issued Date : 2010.07.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.07 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA0N10Q8ID 5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 90m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=3A 94m(typ) Description The MTBA0N10Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinatio

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.