MTBA0N10Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTBA0N10Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTBA0N10Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBA0N10Q8 даташит

 ..1. Size:305K  cystek
 mtba0n10q8.pdf pdf_icon

MTBA0N10Q8

Spec. No. C790Q8 Issued Date 2010.07.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.05.07 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTBA0N10Q8 ID 5A RDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 90m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=3A 94m (typ) Description The MTBA0N10Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinatio

Другие IGBT... MTB60P06E3, MTB60P06H8, MTB6D0N03AH8, MTB6D0N03ATH8, MTB6D0N03ATV8, MTB80N08J3, MTB90P06J3, MTB90P06Q8, MMIS60R580P, MTBA5C10AQ8, MTBA5C10Q8, MTBA5N10FP, MTBA5N10J3, MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, MTBA6C12J4