MTBA0N10Q8 - аналоги и даташиты транзистора

 

MTBA0N10Q8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MTBA0N10Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTBA0N10Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBA0N10Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  cystek
 mtba0n10q8.pdf pdf_icon

MTBA0N10Q8

Spec. No. : C790Q8 Issued Date : 2010.07.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.07 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTBA0N10Q8ID 5ARDS(ON)@VGS=10V, ID=5A 90m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=3A 94m(typ) Description The MTBA0N10Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinatio

Другие MOSFET... MTB60P06E3 , MTB60P06H8 , MTB6D0N03AH8 , MTB6D0N03ATH8 , MTB6D0N03ATV8 , MTB80N08J3 , MTB90P06J3 , MTB90P06Q8 , STP65NF06 , MTBA5C10AQ8 , MTBA5C10Q8 , MTBA5N10FP , MTBA5N10J3 , MTBA5N10Q8 , MTBA5N10V8 , MTBA5Q10Q8 , MTBA6C12J4 .

History: IRFS152 | APT10040B2VFRG | ME70N03S-G | AP55T10GI | SVFP14N65CFJD | ME6874 | OSG55R580AF

 

 
Back to Top

 


 
.