FSF9150D Todos los transistores

 

FSF9150D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSF9150D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
 

 Búsqueda de reemplazo de FSF9150D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FSF9150D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:53K  intersil
 fsf9150.pdf pdf_icon

FSF9150D

FSF9150D,FSF9150R22A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 22A, -100V, rDS(ON) = 0.140 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K

Otros transistores... FSF150D , FSF150R , FSF250D , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , IRFZ44N , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D .

History: IPT60R028G7 | MTE1K8N25J3 | WFP12N65S | FSF450D | SPN65T10

 

 
Back to Top

 


 
.