Справочник MOSFET. FSF9150D

 

FSF9150D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSF9150D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FSF9150D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSF9150D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:53K  intersil
 fsf9150.pdf pdf_icon

FSF9150D

FSF9150D,FSF9150R22A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 22A, -100V, rDS(ON) = 0.140 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-- Meets Pre-RAD Specifications to 100K

Другие MOSFET... FSF150D , FSF150R , FSF250D , FSF250R , FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , IRFZ44N , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , FSJ055D , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D .

 

 
Back to Top

 


 
.