FSF9150D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FSF9150D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для FSF9150D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSF9150D даташит

 7.1. Size:53K  intersil
 fsf9150.pdf pdf_icon

FSF9150D

FSF9150D, FSF9150R 22A, -100V, 0.140 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 22A, -100V, rDS(ON) = 0.140 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K

Другие IGBT... FSF150D, FSF150R, FSF250D, FSF250R, FSF254D, FSF254R, FSF450D, FSF450R, IRFZ44N, FSF9150R, FSF9250D, FSF9250R, FSJ055D, FSJ055R, FSJ160D, FSJ160R, FSJ260D