MTBA6C12J4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTBA6C12J4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(6.8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.2(17) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29(48) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.176(0.246) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTBA6C12J4

MTBA6C12J4 Datasheet (PDF)

..1. Size:397K cystek
mtba6c12j4.pdf

Spec. No. : C973J4 Issued Date : 2014.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12J4 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.6ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 176 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 183 m 276 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant

6.1. Size:432K cystek
mtba6c12q8.pdf

Spec. No. : C973Q8 Issued Date : 2014.09.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12Q8 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.7ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 178 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 185 m 276 m Description The MTBA6C12Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhanc

7.1. Size:431K cystek
mtba6c15q8.pdf

Spec. No. : C938Q8 Issued Date : 2014.12.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15Q8 BVDSS 150V -150VID @ TA=25C, VGS=10V(-10V) 1.8A -1.5AID @ TA=70C, VGS=10V(-10V) 1.5A -1.3AID @ TC=25C, VGS=10V(-10V) 3.2A -2.6AID @ TC=100C, VGS=10V(-10V) 2.3A -1.8ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V

7.2. Size:402K cystek
mtba6c15j4.pdf

Spec. No. : C938J4 Issued Date : 2014.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.28 Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15J4 BVDSS 150V -150VID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1ARDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) 167m 253m Features RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V) 172m 273m Low gate charge Simple drive requirement Pb-f

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: