MTBA6C12J4 Todos los transistores

 

MTBA6C12J4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTBA6C12J4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8(6.8) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.2(17) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29(48) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.176(0.246) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-4L
 

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MTBA6C12J4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  cystek
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MTBA6C12J4

Spec. No. : C973J4 Issued Date : 2014.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12J4 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.6ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 176 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 183 m 276 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant

 6.1. Size:432K  cystek
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MTBA6C12J4

Spec. No. : C973Q8 Issued Date : 2014.09.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C12Q8 BVDSS 120V -120VID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.7ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 178 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 185 m 276 m Description The MTBA6C12Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhanc

 7.1. Size:431K  cystek
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MTBA6C12J4

Spec. No. : C938Q8 Issued Date : 2014.12.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15Q8 BVDSS 150V -150VID @ TA=25C, VGS=10V(-10V) 1.8A -1.5AID @ TA=70C, VGS=10V(-10V) 1.5A -1.3AID @ TC=25C, VGS=10V(-10V) 3.2A -2.6AID @ TC=100C, VGS=10V(-10V) 2.3A -1.8ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V

 7.2. Size:402K  cystek
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MTBA6C12J4

Spec. No. : C938J4 Issued Date : 2014.10.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.10.28 Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTBA6C15J4 BVDSS 150V -150VID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1ARDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) 167m 253m Features RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V) 172m 273m Low gate charge Simple drive requirement Pb-f

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History: RF4E110GN | MTDA4N20J3

 

 
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