MTBA6C12J4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTBA6C12J4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(6.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16.2(17) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29(48) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.176(0.246) Ohm

Тип корпуса: TO-252-4L

Аналог (замена) для MTBA6C12J4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBA6C12J4 даташит

 ..1. Size:397K  cystek
 mtba6c12j4.pdf pdf_icon

MTBA6C12J4

Spec. No. C973J4 Issued Date 2014.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTBA6C12J4 BVDSS 120V -120V ID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.6A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 176 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 183 m 276 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoHS compliant

 6.1. Size:432K  cystek
 mtba6c12q8.pdf pdf_icon

MTBA6C12J4

Spec. No. C973Q8 Issued Date 2014.09.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTBA6C12Q8 BVDSS 120V -120V ID @ VGS=10V(-10V) 2A -1.7A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 178 m 246 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 185 m 276 m Description The MTBA6C12Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhanc

 7.1. Size:431K  cystek
 mtba6c15q8.pdf pdf_icon

MTBA6C12J4

Spec. No. C938Q8 Issued Date 2014.12.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTBA6C15Q8 BVDSS 150V -150V ID @ TA=25 C, VGS=10V(-10V) 1.8A -1.5A ID @ TA=70 C, VGS=10V(-10V) 1.5A -1.3A ID @ TC=25 C, VGS=10V(-10V) 3.2A -2.6A ID @ TC=100 C, VGS=10V(-10V) 2.3A -1.8A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V

 7.2. Size:402K  cystek
 mtba6c15j4.pdf pdf_icon

MTBA6C12J4

Spec. No. C938J4 Issued Date 2014.10.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.10.28 Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTBA6C15J4 BVDSS 150V -150V ID @VGS=10V(-10V) 9.3A -7.1A RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) 167m 253m Features RDSON(TYP)@VGS=4.5V(-4.5V) 172m 273m Low gate charge Simple drive requirement Pb-f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTBA0N10Q8, MTBA5C10AQ8, MTBA5C10Q8, MTBA5N10FP, MTBA5N10J3, MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, IRF3205, MTBB0P10J3, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, MTBB5N10L3, MTBC7N10N3, MTC1016S6R, MTC2402Q8, MTC2590V8