MTBC7N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTBC7N10N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.389 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MTBC7N10N3 Datasheet (PDF)

..1. Size:317K cystek
mtbc7n10n3.pdf

Spec. No. : C886N3 Issued Date : 2012.11.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 100V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100VMTBC7N10N3 ID 1ARDSON(TYP)@VGS=10V, ID=1A 389m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=1A 413m RDSON(TYP)@VGS=4V, ID=1A 407m Features Lower gate charge. ESD protected. Pb-free lead plating and Halogen-fre

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Liste

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