MTBC7N10N3 Todos los transistores

 

MTBC7N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTBC7N10N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.389 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTBC7N10N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  cystek
 mtbc7n10n3.pdf pdf_icon

MTBC7N10N3

Spec. No. : C886N3 Issued Date : 2012.11.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 100V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100VMTBC7N10N3 ID 1ARDSON(TYP)@VGS=10V, ID=1A 389m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=1A 413m RDSON(TYP)@VGS=4V, ID=1A 407m Features Lower gate charge. ESD protected. Pb-free lead plating and Halogen-fre

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP45NE06FP | SML120B8 | RTL035N03FRA

 

 
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