MTBC7N10N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTBC7N10N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.389 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTBC7N10N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTBC7N10N3 даташит

 ..1. Size:317K  cystek
 mtbc7n10n3.pdf pdf_icon

MTBC7N10N3

Spec. No. C886N3 Issued Date 2012.11.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 100V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100V MTBC7N10N3 ID 1A RDSON(TYP)@VGS=10V, ID=1A 389m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=1A 413m RDSON(TYP)@VGS=4V, ID=1A 407m Features Lower gate charge. ESD protected. Pb-free lead plating and Halogen-fre

Другие IGBT... MTBA5N10Q8, MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, MTBA6C12J4, MTBB0P10J3, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, MTBB5N10L3, IRF540, MTC1016S6R, MTC2402Q8, MTC2590V8, MTC2804Q8, MTC3585G6, MTC3585N6, MTC3586DFA6, MTC380Q8