MTBC7N10N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTBC7N10N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2 nC
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 13 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.389 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для MTBC7N10N3
MTBC7N10N3 Datasheet (PDF)
..1. Size:317K cystek
mtbc7n10n3.pdf
mtbc7n10n3.pdf
Spec. No. : C886N3 Issued Date : 2012.11.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 100V N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100VMTBC7N10N3 ID 1ARDSON(TYP)@VGS=10V, ID=1A 389m RDSON(TYP)@VGS=4.5V, ID=1A 413m RDSON(TYP)@VGS=4V, ID=1A 407m Features Lower gate charge. ESD protected. Pb-free lead plating and Halogen-fre
Другие MOSFET... MTBA5N10Q8 , MTBA5N10V8 , MTBA5Q10Q8 , MTBA6C12J4 , MTBB0P10J3 , MTBB0P10L3 , MTBB5B10Q8 , MTBB5N10L3 , IRF1404 , MTC1016S6R , MTC2402Q8 , MTC2590V8 , MTC2804Q8 , MTC3585G6 , MTC3585N6 , MTC3586DFA6 , MTC380Q8 .
