MTC1016S6R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTC1016S6R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.82(0.57) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6(10) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.3(16.6) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3(0.61) Ohm

Encapsulados: SOT-363R

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MTC1016S6R datasheet

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MTC1016S6R

Spec. No. C392S6R Issued Date 2013.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.10.24 Page No. 1/ 13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC1016S6R BVDSS 20V -20V ID @VGS=(-)4.5V, TA=25 C 0.82A -0.57A RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 0.30 0.61 RDSON(typ.) @VGS=(-)2.5V 0.43 1.00 RDSON(typ.) @VGS=(-)1.8V 0.63 1.64 Features

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