MTC1016S6R Todos los transistores

 

MTC1016S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC1016S6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.82(0.57) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6(10) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.3(16.6) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3(0.61) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 

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MTC1016S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  cystek
 mtc1016s6r.pdf pdf_icon

MTC1016S6R

Spec. No. : C392S6R Issued Date : 2013.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/ 13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC1016S6R BVDSS 20V -20V ID @VGS=(-)4.5V, TA=25C 0.82A -0.57A RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 0.30 0.61 RDSON(typ.) @VGS=(-)2.5V 0.43 1.00 RDSON(typ.) @VGS=(-)1.8V 0.63 1.64 Features

Otros transistores... MTBA5N10V8 , MTBA5Q10Q8 , MTBA6C12J4 , MTBB0P10J3 , MTBB0P10L3 , MTBB5B10Q8 , MTBB5N10L3 , MTBC7N10N3 , 50N06 , MTC2402Q8 , MTC2590V8 , MTC2804Q8 , MTC3585G6 , MTC3585N6 , MTC3586DFA6 , MTC380Q8 , MTC4501Q8 .

 

 
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