MTC1016S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTC1016S6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.82(0.57) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.79 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6(10) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12.3(16.6) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3(0.61) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363R

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MTC1016S6R Datasheet (PDF)

..1. Size:674K cystek
mtc1016s6r.pdf

Spec. No. : C392S6R Issued Date : 2013.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/ 13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC1016S6R BVDSS 20V -20V ID @VGS=(-)4.5V, TA=25C 0.82A -0.57A RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 0.30 0.61 RDSON(typ.) @VGS=(-)2.5V 0.43 1.00 RDSON(typ.) @VGS=(-)1.8V 0.63 1.64 Features

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Liste

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