MTC1016S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTC1016S6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.82(0.57) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6(10) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12.3(16.6) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3(0.61) Ohm

Тип корпуса: SOT-363R

Аналог (замена) для MTC1016S6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC1016S6R даташит

 ..1. Size:674K  cystek
 mtc1016s6r.pdf pdf_icon

MTC1016S6R

Spec. No. C392S6R Issued Date 2013.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.10.24 Page No. 1/ 13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC1016S6R BVDSS 20V -20V ID @VGS=(-)4.5V, TA=25 C 0.82A -0.57A RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 0.30 0.61 RDSON(typ.) @VGS=(-)2.5V 0.43 1.00 RDSON(typ.) @VGS=(-)1.8V 0.63 1.64 Features

Другие IGBT... MTBA5N10V8, MTBA5Q10Q8, MTBA6C12J4, MTBB0P10J3, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, MTBB5N10L3, MTBC7N10N3, 50N06, MTC2402Q8, MTC2590V8, MTC2804Q8, MTC3585G6, MTC3585N6, MTC3586DFA6, MTC380Q8, MTC4501Q8