Справочник MOSFET. MTC1016S6R

 

MTC1016S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC1016S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.82(0.57) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.79 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6(10) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12.3(16.6) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3(0.61) Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC1016S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  cystek
 mtc1016s6r.pdf pdf_icon

MTC1016S6R

Spec. No. : C392S6R Issued Date : 2013.08.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2018.10.24 Page No. : 1/ 13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC1016S6R BVDSS 20V -20V ID @VGS=(-)4.5V, TA=25C 0.82A -0.57A RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 0.30 0.61 RDSON(typ.) @VGS=(-)2.5V 0.43 1.00 RDSON(typ.) @VGS=(-)1.8V 0.63 1.64 Features

Другие MOSFET... MTBA5N10V8 , MTBA5Q10Q8 , MTBA6C12J4 , MTBB0P10J3 , MTBB0P10L3 , MTBB5B10Q8 , MTBB5N10L3 , MTBC7N10N3 , 50N06 , MTC2402Q8 , MTC2590V8 , MTC2804Q8 , MTC3585G6 , MTC3585N6 , MTC3586DFA6 , MTC380Q8 , MTC4501Q8 .

History: DMN4800LSSQ | RU3568L | TSM2311CX | SWN8N80K | RU35122R

 

 
Back to Top

 


 
.