MTC2590V8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTC2590V8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6(5) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(6.4) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016(0.038) Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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MTC2590V8 datasheet

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MTC2590V8

Spec. No. C839V8 Issued Date 2013.09.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC2590V8 BVDSS 30V -30V ID 6A -5A RDSON(MAX.) 23m 50m Description The MTC2590V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t

Otros transistores... MTBA6C12J4, MTBB0P10J3, MTBB0P10L3, MTBB5B10Q8, MTBB5N10L3, MTBC7N10N3, MTC1016S6R, MTC2402Q8, IRFZ44, MTC2804Q8, MTC3585G6, MTC3585N6, MTC3586DFA6, MTC380Q8, MTC4501Q8, MTC4503AQ8, MTC4503Q8