MTC2590V8 Todos los transistores

 

MTC2590V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC2590V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6(5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(6.4) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016(0.038) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTC2590V8 Datasheet (PDF)

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MTC2590V8

Spec. No. : C839V8 Issued Date : 2013.09.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC2590V8 BVDSS 30V -30VID 6A -5ARDSON(MAX.) 23m 50m Description The MTC2590V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: P1306ED | IPG20N10S4L-22A | BUP69 | CSD19534KCS | MTC2402Q8 | BUZ325 | NX3008NBKW

 

 
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