MTC2590V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTC2590V8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6(5) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 55(6.4) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016(0.038) Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
MTC2590V8 Datasheet (PDF)
..1. Size:411K cystek
mtc2590v8.pdf
mtc2590v8.pdf
Spec. No. : C839V8 Issued Date : 2013.09.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC2590V8 BVDSS 30V -30VID 6A -5ARDSON(MAX.) 23m 50m Description The MTC2590V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
