MTC2590V8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTC2590V8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6(5) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55(6.4) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016(0.038) Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTC2590V8 Datasheet (PDF)
mtc2590v8.pdf

Spec. No. : C839V8 Issued Date : 2013.09.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC2590V8 BVDSS 30V -30VID 6A -5ARDSON(MAX.) 23m 50m Description The MTC2590V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AM90N06-03P | DKI10299 | STT3P2UH7 | STD6N60M2 | UPA2756GR | IRFP21N60L
History: AM90N06-03P | DKI10299 | STT3P2UH7 | STD6N60M2 | UPA2756GR | IRFP21N60L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180