MTC2804Q8 Todos los transistores

 

MTC2804Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC2804Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(6) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2(9.5) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79(327) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025(0.038) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTC2804Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  cystek
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MTC2804Q8

Spec. No. : C438Q8 Issued Date : 2009.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/11 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC2804Q8 BVDSS 40V -40VID 7A -6ARDSON(max) 28m 44mDescription The MTC2804Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPG20N10S4L-22A | IPW90R340C3 | NP84N04MHE | CSD19532Q5B | 2SK3338N | IPG20N06S2L-50A | 2SK3430-Z

 

 
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