MTC2804Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTC2804Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(6) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 7.2(9.5) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 79(327) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025(0.038) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTC2804Q8 Datasheet (PDF)
mtc2804q8.pdf

Spec. No. : C438Q8 Issued Date : 2009.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/11 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC2804Q8 BVDSS 40V -40VID 7A -6ARDSON(max) 28m 44mDescription The MTC2804Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235