MTC2804Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTC2804Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7(6) A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.1 nC
Время нарастания (tr): 7.2(9.5) ns
Выходная емкость (Cd): 79(327) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025(0.038) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTC2804Q8 Datasheet (PDF)
mtc2804q8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C438Q8 Issued Date : 2009.02.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/11 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC2804Q8 BVDSS 40V -40VID 7A -6ARDSON(max) 28m 44mDescription The MTC2804Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single SOP-8 package, providing the designer with the
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .