MTC380Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTC380Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2(2.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45(10) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53(56) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088(0.18) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTC380Q8 Datasheet (PDF)

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mtc380q8.pdf

Spec. No. : C836Q8 Issued Date : 2012.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC380Q8 BVDSS 100V -100VID 3.2A -2.5ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 88m 180m RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 91m 192m Description The MTC380Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a si

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: