MTC380Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MTC380Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2(2.5) A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 45(10) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 53(56) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088(0.18) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MTC380Q8 Datasheet (PDF)
mtc380q8.pdf

Spec. No. : C836Q8 Issued Date : 2012.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC380Q8 BVDSS 100V -100VID 3.2A -2.5ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 88m 180m RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 91m 192m Description The MTC380Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a si
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: QS8K13 | TTP118N08A | MTE130N20FP | NTB5404N | TK3A60DA | HGD750N15M
History: QS8K13 | TTP118N08A | MTE130N20FP | NTB5404N | TK3A60DA | HGD750N15M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet