MTC380Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTC380Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2(2.5) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45(10) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53(56) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088(0.18) Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTC380Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC380Q8 даташит

 ..1. Size:371K  cystek
 mtc380q8.pdf pdf_icon

MTC380Q8

Spec. No. C836Q8 Issued Date 2012.06.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CH MTC380Q8 BVDSS 100V -100V ID 3.2A -2.5A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 88m 180m RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 91m 192m Description The MTC380Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a si

Другие IGBT... MTBC7N10N3, MTC1016S6R, MTC2402Q8, MTC2590V8, MTC2804Q8, MTC3585G6, MTC3585N6, MTC3586DFA6, IRF640N, MTC4501Q8, MTC4503AQ8, MTC4503Q8, MTC4503Q8G, MTC4505Q8, MTC4506J4, MTC4506Q8, MTC5806Q8