MTC380Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTC380Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.2(2.5) A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20.8 nC
Время нарастания (tr): 45(10) ns
Выходная емкость (Cd): 53(56) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.088(0.18) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTC380Q8 Datasheet (PDF)
..1. Size:371K cystek
mtc380q8.pdf
mtc380q8.pdf
Spec. No. : C836Q8 Issued Date : 2012.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC380Q8 BVDSS 100V -100VID 3.2A -2.5ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 88m 180m RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 91m 192m Description The MTC380Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a si
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
