MTC5806Q8 Todos los transistores

 

MTC5806Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC5806Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5(3.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12(8) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45(49) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037(0.07) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTC5806Q8 Datasheet (PDF)

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MTC5806Q8

Spec. No. : C407Q8 Issued Date : 2008.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC5806Q8 BVDSS 60V -60VID 4.5A -3.5ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 37m 70m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 42m 93m Description The MTC5806Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in

 7.1. Size:469K  cystek
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MTC5806Q8

Spec. No. : C407V8 Issued Date : 2014.11.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : age No. : 1/13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC5806V8 BVDSS 60V -60VID@VGS=10V(-10V), TA=25C 4.3A -3.3AID@VGS=10V(-10V), TC=25C 6.4A -4.6ARDSON@VGS=10V(-10V) typ. 37m 70m RDSON@VGS=4.5V(-4.5V) typ. 42m 93m Features Simple drive require

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History: RF4E110GN | MTDA4N20J3

 

 
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