Справочник MOSFET. MTC5806Q8

 

MTC5806Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC5806Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5(3.5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12(8) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45(49) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037(0.07) Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC5806Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  cystek
 mtc5806q8.pdf pdf_icon

MTC5806Q8

Spec. No. : C407Q8 Issued Date : 2008.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC5806Q8 BVDSS 60V -60VID 4.5A -3.5ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 37m 70m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 42m 93m Description The MTC5806Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in

 7.1. Size:469K  cystek
 mtc5806v8.pdf pdf_icon

MTC5806Q8

Spec. No. : C407V8 Issued Date : 2014.11.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : age No. : 1/13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC5806V8 BVDSS 60V -60VID@VGS=10V(-10V), TA=25C 4.3A -3.3AID@VGS=10V(-10V), TC=25C 6.4A -4.6ARDSON@VGS=10V(-10V) typ. 37m 70m RDSON@VGS=4.5V(-4.5V) typ. 42m 93m Features Simple drive require

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ECG454 | RT3U33M | TK3A60DA | MTB23C04J4 | 4N65KL-T2Q-R | HGN012N03AL

 

 
Back to Top

 


 
.