MTC5806Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTC5806Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5(3.5) A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 12(8) ns
Выходная емкость (Cd): 45(49) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.037(0.07) Ohm
Тип корпуса: SOP-8
MTC5806Q8 Datasheet (PDF)
mtc5806q8.pdf
Spec. No. : C407Q8 Issued Date : 2008.12.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/13 N- AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N-CH P-CHMTC5806Q8 BVDSS 60V -60VID 4.5A -3.5ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 37m 70m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 42m 93m Description The MTC5806Q8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in
mtc5806v8.pdf
Spec. No. : C407V8 Issued Date : 2014.11.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : age No. : 1/13 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC5806V8 BVDSS 60V -60VID@VGS=10V(-10V), TA=25C 4.3A -3.3AID@VGS=10V(-10V), TC=25C 6.4A -4.6ARDSON@VGS=10V(-10V) typ. 37m 70m RDSON@VGS=4.5V(-4.5V) typ. 42m 93m Features Simple drive require
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
