MTC8402S6R Todos los transistores

 

MTC8402S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC8402S6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60(55) V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3(0.18) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6(3) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.2(4.6) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6(5) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363R
 

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MTC8402S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  cystek
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MTC8402S6R

Spec. No. : C888S6R Issued Date : 2012.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.05 Page No. : 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTC8402S6R N-CH P-CHBVDSS 60V -50VID 0.3A -0.18AFeatures RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 1.6 5 ESD protected RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 1.8 6 High speed switching Low-voltage drive Pb-fr

 8.1. Size:410K  cystek
 mtc8404v8.pdf pdf_icon

MTC8402S6R

Spec. No. : C914V8 Issued Date : 2013.09.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8404V8 BVDSS 30V -30VID 6A -6ARDSON(MAX.) 23m 28m Description The MTC8404V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t

Otros transistores... MTC4501Q8 , MTC4503AQ8 , MTC4503Q8 , MTC4503Q8G , MTC4505Q8 , MTC4506J4 , MTC4506Q8 , MTC5806Q8 , IRFB4115 , MTC8404V8 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 .

History: SSF7507 | MTC3585N6 | IPI65R280C6 | MTB35N04J3 | SMY52 | MTC4506Q8

 

 
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