Справочник MOSFET. MTC8402S6R

 

MTC8402S6R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTC8402S6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60(55) V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3(0.18) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6(3) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.2(4.6) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6(5) Ohm
   Тип корпуса: SOT-363R
 

 Аналог (замена) для MTC8402S6R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTC8402S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  cystek
 mtc8402s6r.pdf pdf_icon

MTC8402S6R

Spec. No. : C888S6R Issued Date : 2012.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.05 Page No. : 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTC8402S6R N-CH P-CHBVDSS 60V -50VID 0.3A -0.18AFeatures RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 1.6 5 ESD protected RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 1.8 6 High speed switching Low-voltage drive Pb-fr

 8.1. Size:410K  cystek
 mtc8404v8.pdf pdf_icon

MTC8402S6R

Spec. No. : C914V8 Issued Date : 2013.09.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8404V8 BVDSS 30V -30VID 6A -6ARDSON(MAX.) 23m 28m Description The MTC8404V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t

Другие MOSFET... MTC4501Q8 , MTC4503AQ8 , MTC4503Q8 , MTC4503Q8G , MTC4505Q8 , MTC4506J4 , MTC4506Q8 , MTC5806Q8 , IRFB4115 , MTC8404V8 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 .

 

 
Back to Top

 


 
.