MTC8404V8 Todos los transistores

 

MTC8404V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTC8404V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7(10) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(119) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016(0.021) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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MTC8404V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  cystek
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MTC8404V8

Spec. No. : C914V8 Issued Date : 2013.09.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8404V8 BVDSS 30V -30VID 6A -6ARDSON(MAX.) 23m 28m Description The MTC8404V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t

 8.1. Size:377K  cystek
 mtc8402s6r.pdf pdf_icon

MTC8404V8

Spec. No. : C888S6R Issued Date : 2012.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.05 Page No. : 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTC8402S6R N-CH P-CHBVDSS 60V -50VID 0.3A -0.18AFeatures RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 1.6 5 ESD protected RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 1.8 6 High speed switching Low-voltage drive Pb-fr

Otros transistores... MTC4503AQ8 , MTC4503Q8 , MTC4503Q8G , MTC4505Q8 , MTC4506J4 , MTC4506Q8 , MTC5806Q8 , MTC8402S6R , 2SK3878 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 .

History: TMP20N65H

 

 
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