Справочник MOSFET. MTC8404V8

 

MTC8404V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTC8404V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 7(10) ns
   Выходная емкость (Cd): 55(119) pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016(0.021) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTC8404V8

 

 

MTC8404V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:410K  cystek
 mtc8404v8.pdf

MTC8404V8 MTC8404V8

Spec. No. : C914V8 Issued Date : 2013.09.30 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET N-CH P-CHMTC8404V8 BVDSS 30V -30VID 6A -6ARDSON(MAX.) 23m 28m Description The MTC8404V8 consists of a N-channel and a P-channel enhancement-mode MOSFET in a single DFN3 3 package, providing the designer with t

 8.1. Size:377K  cystek
 mtc8402s6r.pdf

MTC8404V8 MTC8404V8

Spec. No. : C888S6R Issued Date : 2012.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.05 Page No. : 1/ 12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTC8402S6R N-CH P-CHBVDSS 60V -50VID 0.3A -0.18AFeatures RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 1.6 5 ESD protected RDSON(typ.) @VGS=(-)5V 1.8 6 High speed switching Low-voltage drive Pb-fr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top