MTD06N04Q8 Todos los transistores

 

MTD06N04Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTD06N04Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTD06N04Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  cystek
 mtd06n04q8.pdf pdf_icon

MTD06N04Q8

Spec. No. : C892Q8 Issued Date : 2013.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.01 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTD06N04Q8 ID 15A6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 10m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTD06N04Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMC3407 | BLF6G27-100 | HCFL60R190

 

 
Back to Top

 


 
.