MTD06N04Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTD06N04Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTD06N04Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:342K cystek
mtd06n04q8.pdf

Spec. No. : C892Q8 Issued Date : 2013.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.01 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTD06N04Q8 ID 15A6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 10m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTD06N04Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: