MTD06N04Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTD06N04Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTD06N04Q8 datasheet

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MTD06N04Q8

Spec. No. C892Q8 Issued Date 2013.01.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.01 Page No. 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40V MTD06N04Q8 ID 15A 6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 10m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTD06N04Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

Otros transistores... MTC4505Q8, MTC4506J4, MTC4506Q8, MTC5806Q8, MTC8402S6R, MTC8404V8, MTC8958G6, MTC8958Q8, IRF630, MTD120C10KJ4, MTD120C10KQ8, MTD140P15J3, MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP