Справочник MOSFET. MTD06N04Q8

 

MTD06N04Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD06N04Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD06N04Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  cystek
 mtd06n04q8.pdf pdf_icon

MTD06N04Q8

Spec. No. : C892Q8 Issued Date : 2013.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.01 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTD06N04Q8 ID 15A6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 10m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTD06N04Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTV250N075TS | 2SK4196LS | IPP100N06S3L-04 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.