MTD06N04Q8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTD06N04Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTD06N04Q8
MTD06N04Q8 Datasheet (PDF)
mtd06n04q8.pdf

Spec. No. : C892Q8 Issued Date : 2013.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.01 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTD06N04Q8 ID 15A6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 10m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTD06N04Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching
Другие MOSFET... MTC4505Q8 , MTC4506J4 , MTC4506Q8 , MTC5806Q8 , MTC8402S6R , MTC8404V8 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , IRF9540 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP .
History: MTD120C10KJ4
History: MTD120C10KJ4



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet