Справочник MOSFET. MTD06N04Q8

 

MTD06N04Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD06N04Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTD06N04Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD06N04Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:342K  cystek
 mtd06n04q8.pdf pdf_icon

MTD06N04Q8

Spec. No. : C892Q8 Issued Date : 2013.01.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.03.01 Page No. : 1/9 N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 40VMTD06N04Q8 ID 15A6m VGS=10V, ID=10A RDSON(TYP) 10m VGS=4.5V, ID=8A Description The MTD06N04Q8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching

Другие MOSFET... MTC4505Q8 , MTC4506J4 , MTC4506Q8 , MTC5806Q8 , MTC8402S6R , MTC8404V8 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , 7N65 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP .

History: NTP5860N | BRFL10N65 | STB80NF55-08T4 | SUN1060I2 | VN66AFD | MTB09N06J3 | SFG100N08PF

 

 
Back to Top

 


 
.