MTD120C10KQ8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTD120C10KQ8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4(2.8) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7(10) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42(126) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.124(0.102) Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTD120C10KQ8 datasheet

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MTD120C10KQ8

Spec. No. C945Q8 Issued Date 2014.01.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2015.03.10 Page No. 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTD120C10KQ8 N-CH P-CH BVDSS 100V -100V ID @ TA=25 C, GS=10V(-10V) 2.4A -2.8A ID @ TC=25 C, GS=10V(-10V) 3.4A -3.9A RDSON(TYP.)@VGS=10V(-10V) 124m 102m Features Simple drive requirement RDSON(TYP.)@VG

 4.1. Size:398K  cystek
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MTD120C10KQ8

Spec. No. C945J4 Issued Date 2014.02.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.06.13 Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTD120C10KJ4 BVDSS 100V -100V ID @ VGS=10V(-10V) 2A -2.4A RDSON(typ.) @VGS=(-)10V 125 m 103 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 132 m 117 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoH

 5.1. Size:400K  cystek
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MTD120C10KQ8

Spec. No. C986J4 Issued Date 2014.12.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CH MTD120C10J4 BVDSS 100V -100V ID@VGS=10V(-10V), TC=25 C 9.3A -12A ID@VGS=10V(-10V), TA=25 C 2.0A -2.5A Features 122m 91m RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) Low gate charge 132m 106m Simple drive require

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MTD120C10KQ8

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD12N06EZL/D Designer's Data Sheet MTD12N06EZL TMOS E-FET. High Energy Power FET DPAK for Surface Mount or TMOS POWER FET 12 AMPERES Insertion Mount 60 VOLTS N Channel Enhancement Mode Silicon Gate RDS(on) = 0.180 OHM This advanced TMOS power FET is designed to withstand high energy in the avalanche and mode

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