Справочник MOSFET. MTD120C10KQ8

 

MTD120C10KQ8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTD120C10KQ8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4(2.8) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7(10) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42(126) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.124(0.102) Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для MTD120C10KQ8

 

 

MTD120C10KQ8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  cystek
 mtd120c10kq8.pdf

MTD120C10KQ8 MTD120C10KQ8

Spec. No. : C945Q8 Issued Date : 2014.01.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2015.03.10 Page No. : 1/12 N- AND P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET MTD120C10KQ8 N-CH P-CHBVDSS 100V -100VID @ TA=25C, GS=10V(-10V) 2.4A -2.8AID @ TC=25C, GS=10V(-10V) 3.4A -3.9ARDSON(TYP.)@VGS=10V(-10V) 124m 102m Features Simple drive requirement RDSON(TYP.)@VG

 4.1. Size:398K  cystek
 mtd120c10kj4.pdf

MTD120C10KQ8 MTD120C10KQ8

Spec. No. : C945J4 Issued Date : 2014.02.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.06.13 Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTD120C10KJ4 BVDSS 100V -100VID @ VGS=10V(-10V) 2A -2.4ARDSON(typ.) @VGS=(-)10V 125 m 103 m RDSON(typ.) @VGS=(-)4.5V 132 m 117 m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement RoH

 5.1. Size:400K  cystek
 mtd120c10j4.pdf

MTD120C10KQ8 MTD120C10KQ8

Spec. No. : C986J4 Issued Date : 2014.12.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/13 N & P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-CH P-CHMTD120C10J4 BVDSS 100V -100VID@VGS=10V(-10V), TC=25C 9.3A -12AID@VGS=10V(-10V), TA=25C 2.0A -2.5AFeatures 122m 91m RDSON(TYP)@VGS=10V(-10V) Low gate charge 132m 106m Simple drive require

 9.1. Size:276K  motorola
 mtd12n06e.pdf

MTD120C10KQ8 MTD120C10KQ8

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD12N06EZL/DDesigner's Data SheetMTD12N06EZLTMOS E-FET.High Energy Power FETDPAK for Surface Mount orTMOS POWER FET12 AMPERESInsertion Mount60 VOLTSNChannel EnhancementMode Silicon GateRDS(on) = 0.180 OHMThis advanced TMOS power FET is designed to withstand highenergy in the avalanche and mode

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top