MTD140P15J3 Todos los transistores

 

MTD140P15J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTD140P15J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.141 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de MTD140P15J3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTD140P15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mtd140p15j3.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

Spec. No. : C946J3 Issued Date : 2014.02.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTD140P15J3 ID -15ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-12A 141m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 175m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating a

 9.1. Size:175K  motorola
 mtd14n10e.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD14N10E/DAdvance InformationMTD14N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS power FET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 Wenergy in the avalanche and c

Otros transistores... MTC5806Q8 , MTC8402S6R , MTC8404V8 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , 2SK3878 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R .

History: FDP2570 | AP94T07GP-HF | STP4NK80Z | STP52N25M5 | OSG65R580KT3F | PSMN3R2-30YLC | OSG65R580IF

 

 
Back to Top

 


 
.