MTD140P15J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTD140P15J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.141 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTD140P15J3 datasheet

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MTD140P15J3

Spec. No. C946J3 Issued Date 2014.02.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTD140P15J3 ID -15A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-12A 141m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 175m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating a

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MTD140P15J3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD14N10E/D Advance Information MTD14N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 14 AMPERES 100 VOLTS This advanced TMOS power FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.11 W energy in the avalanche and c

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