MTD140P15J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTD140P15J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 51 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.141 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTD140P15J3

MTD140P15J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:310K cystek
mtd140p15j3.pdf

Spec. No. : C946J3 Issued Date : 2014.02.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTD140P15J3 ID -15ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-12A 141m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 175m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating a

9.1. Size:175K motorola
mtd14n10e.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD14N10E/DAdvance InformationMTD14N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS power FET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 Wenergy in the avalanche and c

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: