Справочник MOSFET. MTD140P15J3

 

MTD140P15J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD140P15J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.141 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTD140P15J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD140P15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mtd140p15j3.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

Spec. No. : C946J3 Issued Date : 2014.02.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTD140P15J3 ID -15ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-12A 141m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 175m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating a

 9.1. Size:175K  motorola
 mtd14n10e.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD14N10E/DAdvance InformationMTD14N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS power FET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 Wenergy in the avalanche and c

Другие MOSFET... MTC5806Q8 , MTC8402S6R , MTC8404V8 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , IRFP260 , MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R .

History: FDB390N15A | IRFRC20PBF | WST3427 | FDB024N08BL7 | WST3400S

 

 
Back to Top

 


 
.