Справочник MOSFET. MTD140P15J3

 

MTD140P15J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD140P15J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.141 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD140P15J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  cystek
 mtd140p15j3.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

Spec. No. : C946J3 Issued Date : 2014.02.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150VMTD140P15J3 ID -15ARDS(ON)@VGS=-10V, ID=-12A 141m(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 175m(typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating a

 9.1. Size:175K  motorola
 mtd14n10e.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTD14N10E/DAdvance InformationMTD14N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorDPAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 14 AMPERES100 VOLTSThis advanced TMOS power FET is designed to withstand highRDS(on) = 0.11 Wenergy in the avalanche and c

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDMS86581 | TT8J21 | IRFU18N15DPBF | BSS84TC | 2SJ125

 

 
Back to Top

 


 
.