MTD140P15J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTD140P15J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 122 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.141 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTD140P15J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD140P15J3 даташит

 ..1. Size:310K  cystek
 mtd140p15j3.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

Spec. No. C946J3 Issued Date 2014.02.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -150V MTD140P15J3 ID -15A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-12A 141m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-10A 175m (typ) Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating a

 9.1. Size:175K  motorola
 mtd14n10e.pdf pdf_icon

MTD140P15J3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTD14N10E/D Advance Information MTD14N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 14 AMPERES 100 VOLTS This advanced TMOS power FET is designed to withstand high RDS(on) = 0.11 W energy in the avalanche and c

Другие IGBT... MTC5806Q8, MTC8402S6R, MTC8404V8, MTC8958G6, MTC8958Q8, MTD06N04Q8, MTD120C10KJ4, MTD120C10KQ8, 2SK3878, MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R