MTD55N10Q8 Todos los transistores

 

MTD55N10Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTD55N10Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTD55N10Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  cystek
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MTD55N10Q8

Spec. No. : C898Q8 Issued Date : 2013.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.31 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTD55N10Q8 ID 4.9AVGS=10V, ID=4.5A 52m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=4A 57m VGS=4.5V, ID=3A 73m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbo

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