MTD55N10Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTD55N10Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTD55N10Q8 datasheet

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MTD55N10Q8

Spec. No. C898Q8 Issued Date 2013.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.31 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTD55N10Q8 ID 4.9A VGS=10V, ID=4.5A 52m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=4A 57m VGS=4.5V, ID=3A 73m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbo

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