MTD55N10Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTD55N10Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTD55N10Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD55N10Q8 даташит

 ..1. Size:372K  cystek
 mtd55n10q8.pdf pdf_icon

MTD55N10Q8

Spec. No. C898Q8 Issued Date 2013.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.03.31 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTD55N10Q8 ID 4.9A VGS=10V, ID=4.5A 52m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=4A 57m VGS=4.5V, ID=3A 73m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbo

Другие IGBT... MTC8404V8, MTC8958G6, MTC8958Q8, MTD06N04Q8, MTD120C10KJ4, MTD120C10KQ8, MTD140P15J3, MTD30N10Q8, 2N7002, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R