Справочник MOSFET. MTD55N10Q8

 

MTD55N10Q8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTD55N10Q8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для MTD55N10Q8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTD55N10Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  cystek
 mtd55n10q8.pdf pdf_icon

MTD55N10Q8

Spec. No. : C898Q8 Issued Date : 2013.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.31 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTD55N10Q8 ID 4.9AVGS=10V, ID=4.5A 52m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=4A 57m VGS=4.5V, ID=3A 73m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbo

Другие MOSFET... MTC8404V8 , MTC8958G6 , MTC8958Q8 , MTD06N04Q8 , MTD120C10KJ4 , MTD120C10KQ8 , MTD140P15J3 , MTD30N10Q8 , K4145 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , MTDK3S6R , MTDK5S6R .

History: PSA04N65B | JFPC10N60CI | SMG2359P | 2SK2850-01 | JCS10N65CT

 

 
Back to Top

 


 
.