MTD55N10Q8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTD55N10Q8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 78 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для MTD55N10Q8
MTD55N10Q8 Datasheet (PDF)
..1. Size:372K cystek
mtd55n10q8.pdf
mtd55n10q8.pdf
Spec. No. : C898Q8 Issued Date : 2013.04.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.03.31 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTD55N10Q8 ID 4.9AVGS=10V, ID=4.5A 52m RDSON(TYP) VGS=6V, ID=4A 57m VGS=4.5V, ID=3A 73m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Symbo
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
