MTDK3S6R Todos los transistores

 

MTDK3S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTDK3S6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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MTDK3S6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  cystek
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MTDK3S6R

Spec. No. : C447S6R Issued Date : 2009.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.04 Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTDK3S6R RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTDK3S6R SOT-363 Tr1 Tr 2

Otros transistores... MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , 2SK3568 , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R .

History: STI15NM60N | IRFR9120 | RU60E16R | TMA12N65H

 

 
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