MTDK3S6R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTDK3S6R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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MTDK3S6R datasheet

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MTDK3S6R

Spec. No. C447S6R Issued Date 2009.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.04 Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTDK3S6R RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTDK3S6R SOT-363 Tr1 Tr 2

Otros transistores... MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, 4435, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R