MTDK3S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTDK3S6R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MTDK3S6R MOSFET
MTDK3S6R Datasheet (PDF)
mtdk3s6r.pdf
Spec. No. : C447S6R Issued Date : 2009.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.04 Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTDK3S6R RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTDK3S6R SOT-363 Tr1 Tr 2
Otros transistores... MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , 2SK3568 , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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