MTDK3S6R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTDK3S6R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для MTDK3S6R
MTDK3S6R Datasheet (PDF)
mtdk3s6r.pdf

Spec. No. : C447S6R Issued Date : 2009.06.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.04 Page No. : 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mAMTDK3S6R RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTDK3S6R SOT-363 Tr1 Tr 2
Другие MOSFET... MTD30N10Q8 , MTD55N10Q8 , MTDA0N10J3 , MTDA0N10L3 , MTDA0P10FP , MTDA4N20J3 , MTDE5P10N3 , MTDK1S6R , 2SK3568 , MTDK5S6R , MTDN1034C6 , MTDN138ZS6R , MTDN3018S6R , MTDN3154C6 , MTDN4228Q8 , MTDN5820Z6 , MTDN6303S6R .
History: MTP2N85 | SVG10120NAT
History: MTP2N85 | SVG10120NAT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor