MTDK3S6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDK3S6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для MTDK3S6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDK3S6R даташит

 ..1. Size:254K  cystek
 mtdk3s6r.pdf pdf_icon

MTDK3S6R

Spec. No. C447S6R Issued Date 2009.06.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.04 Page No. 1/6 ESD protected N-CHANNEL MOSFET BVDSS 20V ID 100mA MTDK3S6R RDSON 3 Description Low voltage drive, 1.8V Easy to use in parallel High speed switching ESD protected device Pb-free package Symbol Outline MTDK3S6R SOT-363 Tr1 Tr 2

Другие IGBT... MTD30N10Q8, MTD55N10Q8, MTDA0N10J3, MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, 4435, MTDK5S6R, MTDN1034C6, MTDN138ZS6R, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R