FSJ055D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSJ055D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO254AA

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FSJ055D datasheet

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FSJ055D

FSJ055D, FSJ055R Data Sheet October 1999 File Number 4250.5 70A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, Features SEGR Resistant, N-Channel Power 70A, 60V, rDS(ON) = 0.012 MOSFETs Total Dose The Discrete Products Operation of Intersil has developed a - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si) series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Single Event designed for

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