Справочник MOSFET. FSJ055D

 

FSJ055D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FSJ055D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA
 

 Аналог (замена) для FSJ055D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FSJ055D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:71K  intersil
 fsj055.pdf pdf_icon

FSJ055D

FSJ055D, FSJ055RData Sheet October 1999 File Number 4250.570A, 60V, 0.012 Ohm, Radiation Hardened, FeaturesSEGR Resistant, N-Channel Power 70A, 60V, rDS(ON) = 0.012MOSFETs Total DoseThe Discrete Products Operation of Intersil has developed a- Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD (Si)series of Radiation Hardened MOSFETs specifically Single Eventdesigned for

Другие MOSFET... FSF254D , FSF254R , FSF450D , FSF450R , FSF9150D , FSF9150R , FSF9250D , FSF9250R , 20N60 , FSJ055R , FSJ160D , FSJ160R , FSJ260D , FSJ260R , FSJ264D , FSJ264R , FSJ9160D .

History: BF992R | STH55N10

 

 
Back to Top

 


 
.