MTDN138ZS6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTDN138ZS6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 1.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

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MTDN138ZS6R Datasheet (PDF)

..1. Size:274K cystek
mtdn138zs6r.pdf

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2012.08.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.19 Page No. : 1/ 7 N-Channel MOSFET (dual transistors) MTDN138ZS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free lead plating and halogen-free p

9.1. Size:309K cystek
mtdn1034c6.pdf

Spec. No. : C833C6 Issued Date : 2012.08.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.27 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN1034C6 BVDSS 30VID 0.3AVGS=4.5V, ID=200mA 0.85 Features VGS=2.5V, ID=175mA 1.23 RDSON(TYP) High speed switching VGS=1.8V, ID=150mA 1.8 Low-voltage drive(1.5V) VGS=1.5V, ID=40mA 2.3 Easily desig

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Liste

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