MTDN138ZS6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTDN138ZS6R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 0.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.6 V
Carga de la puerta (Qg): 1.1 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 5.5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTDN138ZS6R
MTDN138ZS6R Datasheet (PDF)
mtdn138zs6r.pdf
Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2012.08.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.19 Page No. : 1/ 7 N-Channel MOSFET (dual transistors) MTDN138ZS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free lead plating and halogen-free p
mtdn1034c6.pdf
Spec. No. : C833C6 Issued Date : 2012.08.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.27 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN1034C6 BVDSS 30VID 0.3AVGS=4.5V, ID=200mA 0.85 Features VGS=2.5V, ID=175mA 1.23 RDSON(TYP) High speed switching VGS=1.8V, ID=150mA 1.8 Low-voltage drive(1.5V) VGS=1.5V, ID=40mA 2.3 Easily desig
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