MTDN138ZS6R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTDN138ZS6R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для MTDN138ZS6R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTDN138ZS6R даташит

 ..1. Size:274K  cystek
 mtdn138zs6r.pdf pdf_icon

MTDN138ZS6R

Spec. No. C320S6R Issued Date 2012.08.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.19 Page No. 1/ 7 N-Channel MOSFET (dual transistors) MTDN138ZS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free lead plating and halogen-free p

 9.1. Size:309K  cystek
 mtdn1034c6.pdf pdf_icon

MTDN138ZS6R

Spec. No. C833C6 Issued Date 2012.08.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.27 Page No. 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN1034C6 BVDSS 30V ID 0.3A VGS=4.5V, ID=200mA 0.85 Features VGS=2.5V, ID=175mA 1.23 RDSON(TYP) High speed switching VGS=1.8V, ID=150mA 1.8 Low-voltage drive(1.5V) VGS=1.5V, ID=40mA 2.3 Easily desig

Другие IGBT... MTDA0N10L3, MTDA0P10FP, MTDA4N20J3, MTDE5P10N3, MTDK1S6R, MTDK3S6R, MTDK5S6R, MTDN1034C6, K4145, MTDN3018S6R, MTDN3154C6, MTDN4228Q8, MTDN5820Z6, MTDN6303S6R, MTDN7002ZHS6R, MTDN8233CDV8, MTDN8233X6