Справочник MOSFET. MTDN138ZS6R

 

MTDN138ZS6R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTDN138ZS6R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для MTDN138ZS6R

 

 

MTDN138ZS6R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  cystek
 mtdn138zs6r.pdf

MTDN138ZS6R MTDN138ZS6R

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2012.08.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.19 Page No. : 1/ 7 N-Channel MOSFET (dual transistors) MTDN138ZS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free lead plating and halogen-free p

 9.1. Size:309K  cystek
 mtdn1034c6.pdf

MTDN138ZS6R MTDN138ZS6R

Spec. No. : C833C6 Issued Date : 2012.08.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.27 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN1034C6 BVDSS 30VID 0.3AVGS=4.5V, ID=200mA 0.85 Features VGS=2.5V, ID=175mA 1.23 RDSON(TYP) High speed switching VGS=1.8V, ID=150mA 1.8 Low-voltage drive(1.5V) VGS=1.5V, ID=40mA 2.3 Easily desig

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top