MTDN138ZS6R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTDN138ZS6R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.1 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 5.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-363
Аналог (замена) для MTDN138ZS6R
MTDN138ZS6R Datasheet (PDF)
mtdn138zs6r.pdf
Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2012.08.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.19 Page No. : 1/ 7 N-Channel MOSFET (dual transistors) MTDN138ZS6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free lead plating and halogen-free p
mtdn1034c6.pdf
Spec. No. : C833C6 Issued Date : 2012.08.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.27 Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN1034C6 BVDSS 30VID 0.3AVGS=4.5V, ID=200mA 0.85 Features VGS=2.5V, ID=175mA 1.23 RDSON(TYP) High speed switching VGS=1.8V, ID=150mA 1.8 Low-voltage drive(1.5V) VGS=1.5V, ID=40mA 2.3 Easily desig
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
