MTDN3018S6R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTDN3018S6R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363R

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MTDN3018S6R Datasheet (PDF)

..1. Size:261K cystek
mtdn3018s6r.pdf

Spec. No. : C320S6R Issued Date : 2007.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.03.04 Page No. : 1/ 7 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3018S6R Features Low on-resistance High ESD capability High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-free package Equivalent Circuit

9.1. Size:351K cystek
mtdn3154c6.pdf

Spec. No. : C915C6 Issued Date : 2014.05.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-CHANNEL MOSFET (dual transistors) MTDN3154C6 BVDSS 20VID 0.54A0.30 VGS=4.5V, ID=540mA 0.55 RDSON(TYP) VGS=2.5V, ID=500mA Features 1.50 VGS=1.8V, ID=350mA High speed switching Low-voltage drive Easily designed drive circuits Easy to use

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Liste

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